【摘 要】
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据《NIKKEI MICRODEVICES》(日)2005年第9期报道,美国IBM公司采用0.13μm SiGe工艺,开发了称为第4代SiGe技术的!8HP!产品,与上一代018μm工艺的!7HP!相比,电路性能提高了一倍
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据《NIKKEI MICRODEVICES》(日)2005年第9期报道,美国IBM公司采用0.13μm SiGe工艺,开发了称为第4代SiGe技术的!8HP!产品,与上一代018μm工艺的!7HP!相比,电路性能提高了一倍,npn晶体管的截止频率高达200GHz。!8HP!产品的应用方向是便携式民用产品、宽带无线通信设备、汽车防撞
According to “NIKKEI MICRODEVICES” (Japan) No. 9, 2005 reported that the United States IBM company 0.13μm SiGe process, developed called the 4th generation SiGe technology! 8HP! Products, and the previous generation 018μm process! 7HP! , Circuit performance has doubled, npn transistor cut-off frequency up to 200GHz. 8HP! Product application direction is portable civilian products, broadband wireless communications equipment, car crash
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