CH3CSNH2/NH4OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：1liuxiewei2

【摘要】

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引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取

【作者】

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【机构】

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湖南大学材料科学与工程学院,中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2005年z1期

【关键词】

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【基金项目】

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国家自然科学基金资助项目(批准号:60176011)

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引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.

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