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首先分析了静态随机存储器（SRAM）6T存储单元结构的基本工作原理,为缩短仿真时间,构建了一种简化的SRAM电路,并通过仿真证实了此简化电路具有正确的读、写功能.鉴于本文仿真在TSMC180nm工艺下进行,且结合存储单元的W/L比例限制,最终选取了一组可行的晶体管尺寸.本文仿真均通过Hspice电路仿真软件进行仿真、验证.