【摘 要】
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首先测量了GaN肖特基二极管的正向变温电流-电压特性,研究了其电流输运机制,然后分析了在不同注入电流条件下的低频噪声行为.结果表明:1)在正向高电压区,热发射机制占主导,有
【机 构】
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江南大学电子工程系, 物联网技术应用教育部工程研究中心, 无锡 214122;北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心, 北京智芯微电子科技有限公司, 北京 102200;西安电子科技大学, 宽
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首先测量了GaN肖特基二极管的正向变温电流-电压特性,研究了其电流输运机制,然后分析了在不同注入电流条件下的低频噪声行为.结果表明:1)在正向高电压区,热发射机制占主导,有效势垒高度约为1.25 eV;2)在正向低偏压区(V<0.8 V),与位错相关的缺陷辅助隧穿电流占主导,有效势垒高度约为0.92 eV(T=300 K);3)在极小电流(I<1μA)和极低频率(f<10 Hz)下,洛伦兹型噪声才会出现;电子的渡越时间取决于多个缺陷对电子的不断捕获和释放过程,典型时间常数约为30 ms(I=1μA);4)在更高频率和电流下,低频1/f噪声占主导;电流的输运主要受到势垒高度的随机波动的影响,所对应的系数约为1.1.
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