金刚石的热导率是所有物质中最高的，金刚石薄膜由于其较低的制作成本和较大的生长面积，使得它作为大功率电子器件的散热材料而具有广泛的应用前景。但是由于采用ＣＶＤ方法制备的金刚石薄膜为多晶结构，膜内存在大量的杂质与缺陷，其导热性能一般还达不到天然金刚石的水平。因此要制备出高导热的金刚石膜，必须搞清影响其热导率的因素，从现有的制备方法及工艺条件入手，优化制备技术，使其性能达到或接近甚至超过天然金刚石的水平，以实现其广泛的应用。为提高金刚石膜导热能力，从减少金刚石膜内的晶界密度出发，我们研究了晶粒尺寸对其热导率的影响，相同膜厚内不同晶粒尺寸的金刚石膜的获得，是通过衬底经过不同研磨时间处理而得到的。在经过５０μｍ金刚石粉超声处理不同时间的单晶Ｓｉ衬底上用ＨＦＣＶＤ方法合成了多个厚度为１０μｍ的金刚石膜。通过改进工艺条件，我们可以获得具有某一晶面定向生长的金刚石膜，利用ＳＥＭ和Ｘ射线衍射实验可以分析这种定向生长的程度，我们合成了表面显露（１００）晶面的具有不同取向程度的金刚石膜，并用Ｘ射线衍射实验研究了这种取向程度对金刚石膜热导率的影响。在实验中扫描电镜被用来确定晶粒的尺寸，我们研究了不同研磨时间与膜内晶粒尺寸的关系，表?