金属硬掩膜一体化刻蚀残留缺陷的优化

来源 :科技展望 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hetongzhixia

【摘要】

：

随着超大规模集成电路(VLSI)的特征尺寸不断缩小,为降低接触电阻(RC)延迟的影响,后段集成普遍采用低介电介质材料(Low-k材料)双大马士革铜互连工艺.在诸多的双大马士革结构刻

【作者】

：

任昱昂开渠江旻

【机构】

：

上海华力微电子有限公司,上海,201203

【出处】

：

科技展望

【发表日期】

：

2017年23期

【关键词】

：

大马士革铜互连工艺金属硬掩膜一体化刻蚀工艺刻蚀残留缺陷

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

随着超大规模集成电路(VLSI)的特征尺寸不断缩小,为降低接触电阻(RC)延迟的影响,后段集成普遍采用低介电介质材料(Low-k材料)双大马士革铜互连工艺.在诸多的双大马士革结构刻蚀工艺中,金属硬掩膜一体化刻蚀工艺是迄今为止最为先进的工艺.随着半导体工艺不断发展和特征线宽不断收缩,缺陷问题所带来的挑战越来越突出.本文着重就55nm金属硬掩膜一体化刻蚀工艺存在的刻蚀残留问题展开课题研究并提出改善方案,以期有效地改善刻蚀残留缺陷问题.

其他文献

论美声唱法在中国的发展——以青年歌手电视大奖赛为例

全国青年歌手电视大奖赛，创办于1984年。每两年一届，迄今为止已举办十三届。青歌赛在我国颇具影响力，是我国音乐界的一项重大赛事，也是声乐界推出新人新作的重要途径。近年来，不少

学位

美声唱法青年歌手电视大奖赛声乐作品

多晶硅刻蚀缺陷导致良率失效的机理研究

本文围绕芯片模拟基带漏电失效(Analog base belt leakage failure)的问题,通过对电子扫描缺陷(E-Beam scan defect)和TEM切片剖面分析,发现有源区多晶硅残留是ABB Leakage失

期刊

模拟基带漏电抗反射层多晶硅残留工艺窗口

顺电相KTN晶体中相位栅的衍射效率分析

为了在应用中提高读出光的衍射效率,必须合理选择参量.采用将KOGELNIK的耦合波理论与Kukhtarev方程相结合,可以得出顺电相KTN晶体中透射型相位栅衍射效率的解析式.对影响光栅

期刊