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提出了新型的应用于粒子探测器CMOS读出电路中的电荷灵敏放大器和CR-（RC）^n半高斯整形器的结构，电荷灵敏放大器采用多晶硅电阻做反馈来减小噪声，仿真发现与传统结构相比，在探测器电容高达150pF时，输入等效噪声电荷数由5036个电子减小到2381个，代价是输出摆幅减小了0．5V．在整形器中，MOS管电阻与多晶硅电阻串联，通过调节MOS管的栅压来改变阻值，以补偿工艺的偏差，在不明显降低线性度的情况下保证了时间常数能够比较精确控制。