【摘 要】
：
采用直流反应磁控溅射的方法,在Al/Si(100)衬底上沉积了ZnO晶体薄膜.利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极,制作了ZnO薄膜肖特基二极管.X射线衍射测试结果表明ZnO
【基金项目】
：
国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金
论文部分内容阅读
采用直流反应磁控溅射的方法,在Al/Si(100)衬底上沉积了ZnO晶体薄膜.利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极,制作了ZnO薄膜肖特基二极管.X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向.原子力显微分析表明:样品表面光洁平整,晶粒尺寸约100nm,扩展电阻分析表明ZnO薄膜的厚度为0.4μm,载流子浓度为1.8×1015 cm-3,此后的霍尔测试证实了这一结果并说明ZnO的导电类型为n型.室温下的I-V测试显示ZnO肖特基二极管具有明显的整流特性.Pt与n型ZnO接
其他文献
用高温固相法制备了Y2O2S:Eu3+,Mg2+,Ti4+红色长余辉材料,余辉时间达到1 h以上,X射线衍射测量表明材料的晶体结构为Y2O2S.发射光谱对应了Eu3+离子5DJ(J=0,1,2,3)→7FJ(J=0,1,
采用改进的布里奇曼(Bridgman)方法进行锌组分为0.15碲锌镉(Cd0.85Zn0.15Te)晶体的生长.通过严格控制晶体生长过程中Cd的蒸气分压,使得所生长的碲锌镉晶体在结晶质量方面达到
采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法,在6-31G*水平上对三种五元杂环物质进行了构型优化,对优化后的构型做振动分析,均未出现虚频率.在此基础上通过轨道分析,探索了分子内部
制备了掺杂浓度相同而厚度不同的Er3+/Yb3+共掺杂碲钨酸盐玻璃样品,测量了样品的吸收光谱和970 nm LD激发下的Er3+离子1.5 μm发射的荧光光谱和荧光寿命,计算了Er3+离子的发
用常压MOCVD在蓝宝石(0001)面上生长了氧化锌(znO)薄膜.用AFM、室温PL谱、Hall测量、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射/沟道技术等分析方法研究了样品的表面形貌、结构性能、发光