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完成了CdZnTe化合物半导体探测器的设计。CdZnTe材料具有较高的原子序数(48、30、52),较高的材料密度(5.78g/cm3)和较宽的禁带宽度(E——g=1.57eV),单晶的电阻率高(10~(10)Ω·cm)。
Completed CdZnTe compound semiconductor detector design. The CdZnTe materials have higher atomic number (48,30,52), higher material density (5.78g / cm3) and wider band gap (E - g = 1.57eV) (10 ~ (10) Ω · cm).