【摘 要】
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据报道,韩国三星电子公司已于1993年6月研制成功64Mb DRAM 的工程样品,比原定计划提前了三个月。这种采用0.35微米工艺制作的芯片装在500密耳的小型 J 引线封装中。三星电子
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据报道,韩国三星电子公司已于1993年6月研制成功64Mb DRAM 的工程样品,比原定计划提前了三个月。这种采用0.35微米工艺制作的芯片装在500密耳的小型 J 引线封装中。三星电子公司去年9月生产了首批工作器件。该公司计划于1995年大规模生产这种芯片,根据 DRAM 的历史周期,那时64Mb DRAM 市场可望处于起飞期。
It is reported that South Korea’s Samsung Electronics Co., Ltd. in June 1993 developed a successful 64Mb DRAM engineering samples, three months earlier than originally planned. The chip, fabricated in a 0.35-micron process, is housed in a 500-mil small J-lead package. Samsung Electronics produced the first working devices in September last year. The company plans to mass-produce the chip in 1995, according to DRAM’s historical cycle, when the 64Mb DRAM market is expected to take off.
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