高压高速SOI-LIGBT的研制

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：alex851123

【摘要】

：

采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时间和正向转折电压的影响,并利用硅直接键合(S

【作者】

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杨健张正璠李肇基李学宁

【机构】

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电子科技大学,微电子所,四川成都,610054

【出处】

：

微电子学

【发表日期】

：

1999年5期

【关键词】

：

横向绝缘栅双极晶体管智能功率集成电路绝缘体上硅硅直接键合

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采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时间和正向转折电压的影响,并利用硅直接键合(SDB)技术研制出580V的阳极短路SOI-LIGBT,关断时间为250ns.

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