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近三十年来集成电路的特征尺寸不断缩小，主我刻技术稳定发展而推动的。按美国半导体工业协会的推测，在以后的一些年内，集成电路的特征尺寸还会不断缩小，到２００３年，０．１３μｍ集成电路将投入生产。有许多光刻技术可以作为生产这种电路的候选者，但这种集成电路最终由哪种光刻技术实现，目前还没有确定。文中介绍了其中的几种技术（即１５７ｎｍ光学光刻技术、Ｘ射线光刻技术和角度限制散射电子束光刻技术）的研究现状，并对