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本文采用Monte Carlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响,并与宏观RC电路进行了比较.
多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟
【摘 要】
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本文采用Monte Carlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性,考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的
【机 构】
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华中师范大学
【出 处】
：
电子显微学报
【发表日期】
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2003年3期
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