Cu掺杂ZnSe光电性质的第一性原理计算

来源 :西安工业大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ttttt2046

【摘要】

：

为研究Cu掺杂对ZnSe晶体的光电性能的影响,采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnSe掺杂Cu前后的电子结构和光学性质.比较了掺杂前后的电子能带结构

【作者】

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刘翠霞坚增运朱满陈连阳

【机构】

：

西安工业大学材料与化工学院

【出处】

：

西安工业大学学报

【发表日期】

：

2014年10期

【关键词】

：

ZnSe晶体 CU掺杂光电性质第一性原理 ZnSe crystalZnSe doped with Cuoptical properties and elec

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划（973计划）（2011CB610403）, 陕西省教育厅专项科研计划项目（2013JK0908）, 陕西省自然科学基础研究计划项目（2014JQ6214）, 西安工业大学大学生创新创业项目（201310702017）, 西安工业大学省级重点实验室开放基金项目（ZSKJ201417）

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为研究Cu掺杂对ZnSe晶体的光电性能的影响,采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnSe掺杂Cu前后的电子结构和光学性质.比较了掺杂前后的电子能带结构、总态密度、分态密度、吸收光谱和介电函数.研究结果表明：ZnSe本体为直接带隙半导体.掺杂Cu后,ZnSe晶体表现出明显的金属性.本征吸收区明显向低能端移动,约位于0.9-6.0eV.吸收系数明显降低33%.在低能端产生了新的价电峰,可以吸收较低能量的光子.

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