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报道了一种新结构的功率栅控晶闸管，称其为槽栅MOS控制的晶闸管（TMCT）.在该器件结构中，采用UMOS控制晶闸管的开启和关闭.结构中不存在任何的寄生器件，因此，消除了在其它结构的栅控晶闸管中由寄生晶体管引起的各种问题，所以TMCT会有优良的电特性.实验结果表明，多元胞TMCT（600V，有源区面积0.2mm2）的开态压降在300A/cm2时为1.25V，最大可控电流在栅压为-20V和电感负载下达到了296A/cm2.