【摘 要】
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采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出高度（100）择优取向的Gd掺杂PZT薄膜（简写为PGZT）;介电测试结果表明,1mol%Gd掺杂的PZT薄膜介电常数最大,2mol%Gd掺杂PZT薄膜与未掺杂薄
【机 构】
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哈尔滨工业大学化学工程与技术博士后流动站,哈尔滨工业大学应用化学系
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采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出高度（100）择优取向的Gd掺杂PZT薄膜（简写为PGZT）;介电测试结果表明,1mol%Gd掺杂的PZT薄膜介电常数最大,2mol%Gd掺杂PZT薄膜与未掺杂薄膜的介电常数相差不大,Gd掺入量〉2mol%时,薄膜的介电常数下降;薄膜的不可逆极化值呈现与介电常数相同的变化趋势,而可逆极化值变化较小.在弱电场下（低于矫顽场Ec）,用瑞利定律分析薄膜介电常数随电场强度的变化规律,1mol%Gd掺杂的薄膜瑞利系数α最大,说明薄膜中缺陷的浓度最低.1mo
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