~(169)Yb低能内转换电子源研制

来源 :中国原子能科学研究院年报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:scientist89
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我们采用真空蒸发和分子电镀两种方法研制~(169)Yb低能内转换电子源。1.真空蒸发方法在SF-3型石英微量天平监控下,利用真空蒸发方法将富集的~(168)Yb蒸镀到高纯铝基衬上。为了提高生成的~(168)Yb膜的纯度和有利于准确控制其厚度,真空蒸镀时采用了适当措施,以避免或减少吸放气效应的影响。在真空蒸镀过程 We use vacuum evaporation and molecular plating two methods to develop ~ (169) Yb low energy internal conversion electron source. 1. Vacuum evaporation method In the SF-3 type quartz microbalance monitoring, the vacuum evaporation method to enrich the ~ (168) Yb deposited on high-purity aluminum backing. In order to improve the purity of ~ (168) Yb film produced and help to control its thickness accurately, some measures are taken in vacuum evaporation to avoid or reduce the effect of suction and deflation. Vacuum evaporation process
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