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采用直流反应磁控溅射方法制备Ta2O5薄膜，并研究了其制备工艺；在Amoldussen法的基础上，采用了一种新的方法对Ta2O5薄膜离子导电性能进行了测试。结果表明，制备的Ta2O5，薄膜具有良好的离子导电性能。
TaOx离子导电薄膜的制备与性能
【摘 要】
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采用直流反应磁控溅射方法制备Ta2O5薄膜，并研究了其制备工艺；在Amoldussen法的基础上，采用了一种新的方法对Ta2O5薄膜离子导电性能进行了测试。结果表明，制备的Ta2O5，薄膜具有良
【机 构】
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兰州物理研究所
【出 处】
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真空与低温
【发表日期】
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2008年1期
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