多个单负材料缺陷一维光子晶体的孪生缺陷模

来源 :光学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wanyu123456
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
分析了含有多个单负材料缺陷层的一维光子晶体中缺陷模的性质。在两种单负(负介电常量或负磁导率)材料交替堆叠形成的一维光子晶体中,掺入了多个周期排列的单负材料缺陷层,得到在该光子晶体的零有效相位(zero-effective phase)带隙内存在孪生缺陷模。通过改变缺陷的数目或缺陷层的厚度,可调节缺陷模的频率间隔,但缺陷模的数目总保持为两个。计算结果显示,该孪生缺陷模的频率对入射角度的依赖较弱;随着入射角度的改变,缺陷模频率的相对改变量总保持在0.03以下。此外,对应缺陷模频率的电场在该光子晶体中传播时,将被强烈地局域在缺陷层与周期结构的交界面上。 The properties of defect modes in one-dimensional photonic crystals containing multiple single negative material layers were analyzed. In one-dimensional photonic crystals formed by alternately stacking two kinds of single-negative (negative dielectric constant or negative permeability) materials, a plurality of single-negative material defect layers periodically arranged are incorporated to obtain a zero-effective phase in the photonic crystal There is a twin defect mode in the zero-effective phase band gap. By changing the number of defects or the thickness of the defect layer, the frequency spacing of the defect modes can be adjusted, but the number of defect modes always remains at two. The calculated results show that the frequency of the twin defect mode has a weak dependence on the incident angle. With the change of the incident angle, the relative change of the defect mode frequency always keeps below 0.03. In addition, the electric field corresponding to the mode frequency of the defect propagates strongly in the photonic crystal and is strongly localized at the interface between the defect layer and the periodic structure.
其他文献
用固相反应法制备系列Nd0.67Sr0.33MnOy(y=3.00-2.80)多晶样品.样品输运性质表现出自旋相关电致电阻特征.对氧含量等于化学计量样品,在测量温度范围内电阻不随负载电流变化,I
用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4 K下不同量子阱宽度(10-35 nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,
对于Bézier曲线的形状调整问题,给出了一组含有2个参数的四次多项式基函数,它是三次Bernstein基函数的扩展.基于该组基函数定义的带形状参数的曲线,称为三次拟Bézier(三次Q-Bézier)曲线,其优点是在保持控制多边形不变的情况下,可以通过改变形状参数来调整曲线形状.研究基于几何约束的形状调整,通过改变形状参数来满足给定的约束条件,得到形状参数简洁的计算公式,具有明显的几何意义.计算
以1,4-环己二酮、丙二酸二乙酯及多元醇等为原料,经过两次“一锅煮”法合成了六种二代螺环树形化合物1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12-十二氢-2,2;6,6;10,10-三[3,3-二(烷氧羰基)
根据递推卷积原理,将磁化等离子体的频域介电系数过渡到时域,通过引入时域复数极化率张量和时域复数电位移矢量,得到了磁化等离子体的三维时域有限差分方法迭代式.为了验证该
采用大涡模拟方法研究上行直方槽道中的气粒两相流动过程.模拟结果表明:在流向横截面上气相流动存在明显的二次流现象,预报的气相平均速度与直接数值模拟DNS的结果相吻合.受
相位共轭振荡器由一个标准镜和一个具有快速响应的无损耗Kerr介质作为相位共轭介质的相位共轭镜组成.利用非线性反馈方法,对相位共轭振荡器中的时间混沌和耦合相位共轭波映象
采用微扰静态(PSS)模型近似处理极化和结合能效应,并引入了相对论效应、能量损失效应和库仑偏转效应修正的ECPSSR理论是描述直接库仑电离过程最成功的理论,但对于低能离子入
用熔融法结合放电等离子烧结方法合成了Zn掺杂单相P型Ge基I型笼合物Ba8Ga16ZnxGe30-x(x=3,4,5,6),探索Zn取代Ge对其热电性能的影响规律,结果表明:所制备的Ba8Ga16ZnxGe30-x化
硫代杯芳烃是一类以硫原子取代桥联亚甲基的新型杯芳烃,作为新一代超分子砌块,在分子识别、超分子自组装、晶体工程和纳米材料等方面都获得了广泛的应用,已成为当今超分子化