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基于工业碳化硅（SiC）微粉,采用化学改性法将铜负载于SiC原粉表面,使用扫描电子显微镜（SEM）、X-射线粉末衍射仪（XRD）和X-射线光电子能谱（XPS）等表征测试方法,分别考察了pH值、Cu负载量、分散介质等因素对改性实验的影响.结果显示：经高温煅烧后,Cu离子以CuO和Cu2O的氧化态形式负载于SiC表面;不同的分散介质、pH值和Cu离子负载量影响以氧化态形式负载到SiC表面的Cu离子分布.