论文部分内容阅读
研究了大功率LED芯片的伏安特性。基于LED芯片的特殊性,从经典的PN结伏安特性出发,进行理论推导并通过选择不同的基函数,构建出了大功率LED芯片的伏安特性新模型和优化模型,模型中的系数采用最小二乘法进行确定。对大功率LED芯片的实测伏安特性数据表明,本文构建出的优化模型比经典的PN结模型更能准确表征LED的伏安特性,与实测的伏安特性数据一致性更高,更具实用价值。