【摘 要】
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采用快速提拉法生长出了透明、完整的γLiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γLiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vaportransportequilibrationtechnique,VTE)工艺
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所,中国科学院上海光学精密机械研究所,南京大学物理系,南京大学物理系 上海201800,中国科学院研究
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采用快速提拉法生长出了透明、完整的γLiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γLiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vaportransportequilibrationtechnique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6K,10.7664×10-6K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6K和10.1784×10-6K.
However, the high melting point and volatility of the crystal limited the crystal quality of γLiAlO2.The Vaportransportequilibrationtechnique (VTE) process was used to modify the crystal, the FWHM FWHM) decreased from 116.9arcsec to 44.2arcsec, and the VTE processing temperature was increased to 1300 ℃ and the FWHM value increased to 55.2arcsec instead. The Cmax, [100] and [001] Respectively 17.2398 × 10-6K and 10.7664 × 10-6K.The thermal expansion coefficients in [100] and [001] directions dropped to 16.6539 × 10-6K and 10.1784 × 10-6K after three steps of VTE treatment.
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