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引言rn使用生产厂封装的功率MOSFET器件,可以大幅度地提高多相稳压器组件(VRM)的功率密度.电流密度的提高是由两个因素决定的:1.封装的寄生阻抗降低了;2.功率器件的半导体结和外界环境之间的热阻大幅度地减少了.
用小型散热器对DirectFET封装功率MOSFET进行双面散热
【摘 要】
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引言rn使用生产厂封装的功率MOSFET器件,可以大幅度地提高多相稳压器组件(VRM)的功率密度.电流密度的提高是由两个因素决定的:1.封装的寄生阻抗降低了;2.功率器件的半导体结
【机 构】
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国际整流器公司
【出 处】
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电子设计应用
【发表日期】
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2005年10期
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