微氮直拉硅单晶中氮杂质的施主行为

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氮杂质在微氮直拉硅单晶中引入了不同于热施主(TD)和新施主(TND)的氮关施主(NRD)(nitrogen-relateddonor).其形成于500~900℃,600℃左右最为活跃.短时间热处理时,NRD的形成与消除具有可回复性,并与氮—氮对的可逆变化──对应.随热处理时间的延长,可逆行为逐渐消失.硅中的氮最终固化于稳定的微沉淀态. Nitrogen Implants Nitrogen-related donors (NRDs), different from thermal donors (TDs) and new donors (TNDs), have been introduced into micro-Czochralski silicon single crystals. The formation of 500 ~ 900 ℃, 600 ℃ is the most active. The formation and elimination of NRD is reproducible in a short time of heat treatment and corresponds to the reversible change of nitrogen-nitrogen pair. With the extension of heat treatment time, reversible behavior gradually disappear. The nitrogen in silicon eventually cures to a stable microprecipitate.
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