【摘 要】
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为满足微波集成电路的需求，设计了S波段中功率铁氧体隔离器。简单介绍了器件的工作原理和结构，论述了铁氧体基片材料的选取、外加磁场的确定及电路设计。在-55-＋85℃的工作温度
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为满足微波集成电路的需求，设计了S波段中功率铁氧体隔离器。简单介绍了器件的工作原理和结构，论述了铁氧体基片材料的选取、外加磁场的确定及电路设计。在-55-＋85℃的工作温度范围内，器件的技术指标为，工作带宽：400MHz，正向损耗a＋≤0．5dB，反向损耗a-≥20dB，电压驻波比VSWR≤1．25；平均承受功率10W；外形尺寸为10mm×18mm×10mm（max）。
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