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【摘 要】
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用红外吸收光谱、拉曼光谱、反射光谱、椭偏光法等研究了注氮硅的光学性质.注入条件为(1×10~(14)-1×10~(17))N·cm~(-2),70keV.研究结果表明:氮的电激活率很低,这与氮-硅原
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年期
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