【摘 要】
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提出了处于中反型的MOSFET修正边缘饱和电压公式.在分析了MOSFET精确电容模型之后,根据MOSFET饱和时其栅电容两端的电势差和电荷分布,推导了精确的边缘饱和电压关系式.对比了
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所教育部光电信息科学与技术重点实验室天津光电子薄膜器件与技术研究所重点实验室,
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提出了处于中反型的MOSFET修正边缘饱和电压公式.在分析了MOSFET精确电容模型之后,根据MOSFET饱和时其栅电容两端的电势差和电荷分布,推导了精确的边缘饱和电压关系式.对比了MOSFET边缘饱和电压的仿真值及修正后的精确边缘饱和电压的计算值,利用台积电TSMC18RF工艺参数,验证了精确边缘饱和电压公式计算值的准确性.分析了传统边缘饱和电压公式应用的局限.
Proposed a middle-inversion MOSFET modified edge saturation voltage formula.After analyzing the MOSFET accurate capacitance model, the accurate edge saturation voltage relationship was deduced according to the potential difference and the charge distribution of the gate capacitance at the time of MOSFET saturation. The simulation results of the edge saturation voltage and the corrected accurate edge saturation voltage are used to verify the accuracy of the accurate edge saturation voltage using TSMC18RF process parameters.The limitations of the traditional edge saturation voltage formula are analyzed.
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