【摘 要】
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本文研究了BaTiO_3半导瓷的晶粒尺寸与施主杂质含量和烧结温度之间的关系,给出了一种施主杂质抑制晶粒生长的解释,讨论了影响BaTiO_3半导瓷的电导率、耐压等电性能的各种因素
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本文研究了BaTiO_3半导瓷的晶粒尺寸与施主杂质含量和烧结温度之间的关系,给出了一种施主杂质抑制晶粒生长的解释,讨论了影响BaTiO_3半导瓷的电导率、耐压等电性能的各种因素,指出了获得耐压达250V/mm高质量PTC热敏电阻器的关键所在.
In this paper, the relationship between the grain size of BaTiO_3 semiconducting porcelain and the content of donor impurities and the sintering temperature was studied. An explanation was given of the effect of donor impurity on grain growth. The influences of the electrical conductivity, Equal electrical performance of various factors, pointed out that the pressure to reach 250V / mm high quality PTC thermistor lies.
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