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Cu2SnS3薄膜的制备及性能研究

来源 :光电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liangxiaoyan0307

【摘要】

：

采用LBL(layer-by-layer)法制备了Cu2SnS3薄膜.即首先采用电化学方法在SnO2衬底上制备SnS薄膜,然后又在其上用化学沉积法制备CuS薄膜,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的C

【作者】

：

杜金会于振瑞张加友王妍妍李正群

【机构】

：

军事交通学院基础部

【出处】

：

光电子技术

【发表日期】

：

2004年3期

【关键词】

：

Cu2SnS3薄膜 LBL(1ayer-by-layer)法结构特性光学特性 Cu_2SnS_3thin films LBL (layer-by-laye

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采用LBL(layer-by-layer)法制备了Cu2SnS3薄膜.即首先采用电化学方法在SnO2衬底上制备SnS薄膜,然后又在其上用化学沉积法制备CuS薄膜,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的Cu2SnS3薄膜.探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性.制备的薄膜为多晶(Cu2SnS3)72z(三斜或假单斜晶系)结构,其直接光学带隙约为1.05 eV.

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