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,Structure and Strain Properties of GaN Films Grown on Si (111) Substrates with AlxGa1-xN/AlyGa1-yN
【机 构】
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Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic D
【出 处】
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中国物理快报（英文版）
【发表日期】
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2015年5期
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