【摘 要】
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用磁控射频溅射方法在不加热的硅衬底上沉积生长锆钛酸铅镧（PLZT）薄膜。由混浇法制备了两只氧化物靶材PLZT（5／65／35）和（9／65／35）。初生态薄膜主要是非晶态，所希望的钙钛矿相结构由后处理
【机 构】
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用磁控射频溅射方法在不加热的硅衬底上沉积生长锆钛酸铅镧（PLZT）薄膜。由混浇法制备了两只氧化物靶材PLZT（5／65／35）和（9／65／35）。初生态薄膜主要是非晶态，所希望的钙钛矿相结构由后处理形成。研究了不同退火条件下焦绿石相和钙钛矿相的转变，实验表明氧气氛下由常规退火（LFA）和快速退火（RTA）可形成钙钛矿相PLZT薄膜。
Magnetron RF sputtering was used to deposit and grow PLZT films on unheated silicon substrates. Two oxide targets PLZT (5/65/35) and (9/65/35) were prepared by a mixed casting method. The nascent thin films are mainly amorphous and the desired perovskite phase structure is formed by post-processing. The transformation of pyrochlore phase and perovskite phase under different annealing conditions was studied. The experimental results show that perovskite phase PLZT thin films can be formed by conventional annealing (LFA) and rapid annealing (RTA) in oxygen atmosphere.
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