【摘 要】
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基于Silvaco仿真得到3 300 V SiC PiN二极管器件优化结构,开展了SiC刻蚀工艺和欧姆接触工艺研发,制备出具有倾角为48°的缓变台面结构和比接触电阻率在10-5Ω·cm~2量级的欧
【机 构】
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新型功率半导体器件国家重点实验室,株洲中车时代电气股份有限公司,
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基于Silvaco仿真得到3 300 V SiC PiN二极管器件优化结构,开展了SiC刻蚀工艺和欧姆接触工艺研发,制备出具有倾角为48°的缓变台面结构和比接触电阻率在10-5Ω·cm~2量级的欧姆接触的SiC PiN二极管。所研制出的PiN器件最高反向阻断能力达到4 000 V,在100 A/cm~2的正向电流密度下正向导通压降为3.4 V。该器件的品质因数(FOM)达到2 461 MW/cm~2,目前在国内处于领先水平。
Based on Silvaco simulation, the optimal structure of 3 300 V SiC PiN diode device was obtained, and the SiC etching process and ohmic contact process were developed. The slowly changing mesa structure with a dip angle of 48 ° and the specific resistivity of 10-5Ω · cm ~ 2 order ohmic contact SiC PiN diode. The developed PiN device has a maximum reverse blocking capability of 4 000 V and a forward voltage drop of 3.4 V at a forward current density of 100 A / cm 2. The device’s quality factor (FOM) reached 2 461 MW / cm ~ 2, currently leading in the country.
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