在电力系统、轨道交通等高压应用领域,绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)及快恢复二极管(fast recovery diode,FRD)一般通过反并联的方式结合,一起工作在高压、高频等比较严苛的条件下,这要求器件具有比较高的可靠性。本文主要研究对于高压IGBT/FRD器件来说必要的老炼试验:高温反偏试验(high temperature reverse bias,HTRB)。首先介绍了HTRB试验的条件、具体的实施方法及考核过程中需要注意的事项,接下来选取FRD器件为例分析了HTRB过程中易出现的现象及相关机理。在进行HTRB考核时需要注意的问题是:在进行HTRB测试前需要先对器件的热阻进行测试,HTRB考核过程中施加的电压应力应加在器件承受高压的两极上;考核时间、失效判据需要根据器件的实际应用来合理选择;利用阿伦纽斯模型结合HTRB考核结果可以预测器件的寿命。HTRB引起的试验现象一般有导通压降及漏电流的变化等,可能的原因包括器件的特殊工艺、封装水汽、可动离子等。