注意缺陷多动障碍与智商及事件相关电位的关系

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目的:研究事件相关电位(ERP)与智商(IQ)及注意缺陷多动障碍(ADHD)之间的相互关系.方法:采用肌电图诱发电位仪记录靶刺激及非靶刺激结果,结合测试智商的方法.结果:ADHD组事件相关电位靶刺激计数正确率显著低于对照组儿童;P2,P3潜伏期显著延长;N1P2峰峰值显著低于对照组;两次记录P3波重复性显著低于对照组儿童;IQ(包括总智商(FIQ)、言语智商(VIQ)、操作智商(PIQ))均显著低于对照组儿童;相关分析结果显示P2,N2,P3潜伏期与FIQ,PIQ呈显著负相关;N1P2峰峰值与FIQ,VI
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