非晶硅/晶体硅（a-Si/c-Si）异质结

来源 :上海交通大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dongmeizi1988

【摘要】

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通过对非晶硅/晶体硅（a-Si/c-Si）异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si（N＋）/c-Si（P）结构电池性能的影响.研究发现,能

【作者】

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汪建强高华张剑张松李晨叶庆好孟凡英

【机构】

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上海交通大学太阳能研究所,上海超日太阳能科技股份有限公司

【出处】

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上海交通大学学报

【发表日期】

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2011年6期

【关键词】

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非晶硅/晶体硅发射结掺杂界面态密度 amorphous silicon/crystal silicon emitter doping interface

【基金项目】

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上海市科学技术委员会和应用材料国际科技合作基金（08520741400）,上海市科学技术委员会优秀学科带头人基金（08XD14022）

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通过对非晶硅/晶体硅（a-Si/c-Si）异质结能带不连续、发射结掺杂以及界面态密度进行分析,研究它们对a-Si/c-Si异质结的界面特性,以及a-Si（N＋）/c-Si（P）结构电池性能的影响.研究发现,能带不连续以及a-Si发射结高掺杂有利于实现界面复合机制由以悬挂键复合主导的复合机制向由少数载流子复合占主导的SRH（Shockly-Read-Hall）复合机制转变,有效降低界面复合速率.AFORS-HET软件模拟显示：在c-Si（P）衬底掺杂浓度为1.6×1016cm-3时,a-Si（N＋

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