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在多孔C／SiC中渗入SiB4微粉后，采用先驱体浸渍裂解（PIP）结合化学气相渗透（CVI）法进行致密化制备C／SiC—SiB4复合材料。利用XRD、EDS、SEM分析了材料的组分及微结构。研究了材料在500～1000℃静态空气的氧化行为，并与致密C／SiC复合材料的氧化行为进行了比较。结果表明，SiB4主要渗入到纤维柬间，它与随后PIP及CVI法引入的SiC较好地结合在一起。在氧化过程中，SiB。起自愈合作用，它能减缓碳纤维和界面的氧化。在600～900℃氧化10h后，C／SiC—SiB4的失重率均比致