【摘 要】
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碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点.近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不
【机 构】
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浙江大学电气工程学院,浙江省杭州市,310027
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碳化硅(silicon carbide,SiC)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点.近20年来,SiC器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同SiC器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件,并对比分析器件结构及参数性能,针对关键问题展开论述.最后,对SiC器件近年的发展进行总结和展望.
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