【摘 要】
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和一般互补MOS 工艺的六管存储单元相比较,五管存储单元所需要的面积大约只占百分之七十。目前已经研制出在绝缘体上外延硅薄膜(简称ESFI)的存储矩阵,这个矩阵的单元面积为57
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和一般互补MOS 工艺的六管存储单元相比较,五管存储单元所需要的面积大约只占百分之七十。目前已经研制出在绝缘体上外延硅薄膜(简称ESFI)的存储矩阵,这个矩阵的单元面积为5700微米~2(9密耳~2)。此外,还提出了一种读出电路和估计了2048单元存储器芯片的典型数据。
Compared with the six-transistor memory cell of the complementary CMOS process, the area required for the five-transistor memory cell only accounts for about 70%. At present, a memory matrix of an epitaxial silicon thin film (referred to as ESFI) has been developed. The area of the matrix is 5700-2 (9 mils-2). In addition, a readout circuit and typical data for 2048 cell memory chips are also proposed.
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