【摘 要】
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人工石墨膜凭借其优异的导热性能,在电子元器件散热领域具有重要应用.本文通过调整聚酰胺酸亚胺化过程中的反应温度,制备石墨膜前驱体聚酰亚胺(PI)原膜,将不同工艺条件下制得的PI膜进行碳化、石墨化处理,得到高导热率石墨膜.利用扫描电镜、FTIR、拉曼光谱仪和LFA激光闪射仪对制备的PI膜、碳化膜及石墨膜的微观结构和热导率进行检测.结果表明,随热亚胺化温度升高,PI膜酰亚胺化程度和石墨膜的石墨化程度及导热性能逐渐升高,热亚胺化温度为320℃时制得的石墨膜结构致密,石墨片层取向性好,导热性能最好,热导率可达808
【机 构】
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广东工业大学,广东 广州 510006
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人工石墨膜凭借其优异的导热性能,在电子元器件散热领域具有重要应用.本文通过调整聚酰胺酸亚胺化过程中的反应温度,制备石墨膜前驱体聚酰亚胺(PI)原膜,将不同工艺条件下制得的PI膜进行碳化、石墨化处理,得到高导热率石墨膜.利用扫描电镜、FTIR、拉曼光谱仪和LFA激光闪射仪对制备的PI膜、碳化膜及石墨膜的微观结构和热导率进行检测.结果表明,随热亚胺化温度升高,PI膜酰亚胺化程度和石墨膜的石墨化程度及导热性能逐渐升高,热亚胺化温度为320℃时制得的石墨膜结构致密,石墨片层取向性好,导热性能最好,热导率可达808.4W/(m·K).
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