In0.53Ga0.47As/InP量子阱中的Rashba自旋-轨道耦合

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【摘要】

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利用k·p方法研究了In0.53 Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律.随着栅电压Vg从-0.35 V增加到0V,电子浓度ne从0.99×101

【作者】

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周远明舒承志梅菲刘凌云徐进霞王远张冉

【机构】

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湖北工业大学电气与电子工程学院

【出处】

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材料导报

【发表日期】

：

2014年2期

【关键词】

：

自旋电子学自旋场效应晶体管量子阱 Rashba自旋-轨道耦合 spintronics spin field effect transistor quantu

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利用k·p方法研究了In0.53 Ga0.47As/InP窄禁带半导体量子阱结构中的Rashba自旋-轨道效应及其栅电压调控规律.随着栅电压Vg从-0.35 V增加到0V,电子浓度ne从0.99×1011 cm-2线性增大至9.20×1011cm-2,Rashba自旋-轨道耦合参数α从2.38×10-11 eV·m减小到0.19×10-11 eV·rn,零场自旋分裂能△0高达4.63meV.结果表明通过栅电压可以有效调控样品中的自旋-轨

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