论文部分内容阅读
利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜，采用正交试验表格L32（4^8）安排试验。测试了薄膜的方阻和透过率，分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响，其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的影响最大。分析得到优化工艺参数为：沉积气压2×133.3224 mPa、氩氧流量比16：0.5、退火温度427℃、靶基间距15、退火时间1 h、溅射功率300 W、退火氛围为真空、沉积温度227℃。在此工艺参数下制备的ITO薄膜方阻为17Ω/□，电阻率为1.87×10^-4Ω·cm，在可见光区域平均