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采用低压化学气相淀积（LPCVD）技术，以CH4和H2的混合气体作为反应源气体，在n型Si（111）衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC薄膜．在此反应过程中，H2作为稀释与运载气体，CH4提供C源，而Si源由Si衬底提供．通过X射线衍射分析仪（XRD）与场发射扫描电镜（FESEM）分别研究生长出的3C-SiC薄膜的晶格结构和表面形貌．其在室温下的霍尔迁移率的值为1．22×10^3cm2／（V·s），高于其它相关文献报道的霍尔迁移率．实验结果表明，此生长方法可以生长出表