适用于FlashMemory的快速响应的低压差稳压器

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提出一种适用于flashmemory的无片外电容的低压差稳压器设计.利用米勒补偿和自适应基准技术获取高稳定性和增强的瞬态.该低压差稳压器利用片内小电容作为频率补偿的同时还通过它的耦合效应形成高速反馈环路以获得快速的瞬态响应.该电路在低负载情况下具有很低的静态电流和在高负载情况下的高电流效率.提出的稳压器采用90nin工艺,在1.45V到3.8V操作电压范围内,输出1.3V的调制电压和10mA的最大输出电流.对于FlashMemory应用来说,当负载瞬态变化时,提出的低压差稳压器的建立时间仅仅为20ns.芯
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