【摘 要】
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分析了MFIS FET的工作机理以及影响MFIS电容的存储窗口特性的因素,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口特性,制备了Au/Cr/PZT/ZrO2/Si的MFIS结构并
【机 构】
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复旦大学微电子所ASIC和系统国家重点实验室
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分析了MFIS FET的工作机理以及影响MFIS电容的存储窗口特性的因素,提出用存储窗口与铁电薄膜正、负矫顽电压的差值来评价存储窗口特性,制备了Au/Cr/PZT/ZrO2/Si的MFIS结构并研究了其存储窗口特性,存储窗口随ZrO2的厚度变化呈现一个极大值,甚至会出现C-V曲线方向的变化,而PZT薄膜的厚度增大会导致窗口增大,这是由于界面效应以及在铁电层和介质阻挡层上电压分配关系的不同而造成的,这一结果与前面的分析很好地吻合.当ZrO2和PZT的厚度分别为30 nm和250 nm、扫描电压从-5 V到+
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