【摘 要】
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报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加
【机 构】
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长沙电力学院物理系,复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室
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报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０ｎｍ，而且在空气条件下存放６０ｄ后发光强度没有变化．表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一．
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