【摘 要】
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电弧熔炼方法合成了Hf2+xMo3-xSi4(x=0.3),单晶X射线衍射方法测定了晶体结构.化学式,Hf2.3(2)Mo2.7(2)Si4,Mr=781.9,晶体学及结构参数:正交晶系,Ce2Sc3Si4类型,(62) Pnma,a=0
【机 构】
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厦门大学材料科学系和化学系,厦门,361005
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电弧熔炼方法合成了Hf2+xMo3-xSi4(x=0.3),单晶X射线衍射方法测定了晶体结构.化学式,Hf2.3(2)Mo2.7(2)Si4,Mr=781.9,晶体学及结构参数:正交晶系,Ce2Sc3Si4类型,(62) Pnma,a=0.6579(1),b=1.2818(4),c=0.6778(1)nm,V=0.5716(1)nm3,Z=4,Dx=9.084g/cm3,μ=501.55cm-1(λMoKα=0.07107nm),F(000)=1340,T=296K,对于25个修正参数和637个独立可观察衍射点R=0.075,wR=0.068.此结构中,Si原子两两成键联接成哑铃状,Mo原子均处于Si原子所形成的配位畸变八面体中心,这些配位八面体最终联接形成三维Mo-Si网络,Hf原子则散布在网络之间沿[100]方向的隧道中.此化合物组成和结构不符合价键规律,成键具有过渡性且原子的配位环境遵守此类化合物规律.
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