【摘 要】
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为了制备出高性能的可挠透明导电薄膜,采用脉冲激光沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上制备了Ti、F共掺的ZnO(TZO)透明导电薄膜.研究了不同衬底温度、氧分压及F的掺
【机 构】
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复旦大学材料科学系 上海200433
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为了制备出高性能的可挠透明导电薄膜,采用脉冲激光沉积技术在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)衬底上制备了Ti、F共掺的ZnO(TZO)透明导电薄膜.研究了不同衬底温度、氧分压及F的掺杂量对TFZO薄膜电学性能和光学性能的影响.实验结果表明,在衬底温度为150℃,氧分压为0.5Pa,Ti、F掺杂量各为1％(原子比)时,制备的TFZO薄膜的电阻率达到1.69×10-3Ω·cm,可见光范围内平均透过率为81％.对薄膜进行弯曲可靠性测试和疲劳测试,向内、向外弯曲半径大于10 mm时,薄膜电阻基本没有变化,在15 mm条件下弯曲1000次后薄膜亦无明显的电阻变化.
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