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论述了传统Au、Al-1%si键合丝在电子封装中的局限性。分析了Cu键合丝优良的材料性能，Cu键合丝替代Au丝和Al—1％si丝可缩小焊接间距，提高芯片频率和可靠性。并在此基础上阐述了单晶铜作为键合丝的优势，通过键合性能的对比显示了单晶铜键合丝在电子封装中的良好特性。
电子封装Cu键合丝的研究及应用
【摘 要】
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论述了传统Au、Al-1%si键合丝在电子封装中的局限性。分析了Cu键合丝优良的材料性能，Cu键合丝替代Au丝和Al—1％si丝可缩小焊接间距，提高芯片频率和可靠性。并在此基础上阐述了单
【机 构】
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兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室
【出 处】
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铸造技术
【发表日期】
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2006年9期
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