接触电阻和扩展电阻测量方法的研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kelong18433
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本文简述了金属-半导体欧姆接触的接触电阻和半导体内的扩展电阻的测量方法.金属在半无限大半导体上形成欧姆接触,其总电阻R_t包含接触电阻R_c、扩展电阻R_d和测量系统电阻R_o三部分.可由改进测量方法使R_o忽略不计,进而将R_c和R_d分开,从而较准确地获得了接触电阻率P_c和半导体的体电阻率P_b.直径为d的圆形接触的总电阻是 In this paper, the method for measuring the contact resistance of metal-semiconductor ohmic contacts and the extended resistance in semiconductors is briefly described.The metal forms ohmic contacts on semi-infinite semiconductors, and the total resistance R_t includes the contact resistance R_c, the extended resistance R_d and the measuring system resistance R_o Three parts can be improved by measuring R_o neglected, and then R_c and R_d separate, and thus more accurately obtain the contact resistance P_c and the bulk resistivity of the semiconductor P_b The diameter d of the total resistance of the circular contact is
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