RTD／HEMT多值逻辑（MVL）电路的PSPICE模拟

来源 :微纳电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zeer

【摘要】

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由共振隧穿二极管(RTD)与高电子迁移率晶体管(HEMT)相并联组成的结构是构成当前RTD高速数字电路常用的基本单元.由于RTD的负阻、双稳和自锁特性,由RTD/HEMT组成的逻辑电路可

【作者】

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刘宏伟牛萍娟郭维廉苗长云

【机构】

：

天津工业大学信息与通信工程学院,天津工业大学信息与通信工程学院

【出处】

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微纳电子技术

【发表日期】

：

2004年2期

【关键词】

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RTD/HEMT 多值逻辑电路 PSPICE模拟共振隧穿二极管高电子迁移率晶体管电路设计 RTD/HEMTPSPICEMVLliteral functio

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由共振隧穿二极管(RTD)与高电子迁移率晶体管(HEMT)相并联组成的结构是构成当前RTD高速数字电路常用的基本单元.由于RTD的负阻、双稳和自锁特性,由RTD/HEMT组成的逻辑电路可以大大减少器件的数目,用最少的器件完成一定的逻辑功能.本文对多值逻辑(MVL)中的文字逻辑门用PSPICE模拟软件进行了电路模拟,模拟结果与预期结果一致,并有助于指导该电路的设计.

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